Установка предназначена для выращивания нано-, моно- и поликристаллического алмаза и алмазных плёнок на кремниевых подложках диаметром до 75 мм в СВЧ разряде.
Основные характеристики
- диаметр получаемых алмазных пленок и пластин до 75 мм;
- температура подложки в процессе осаждения от 500 ºС до 1200 ºС;
- рабочее давление в рабочей камере (30 – 250) мм.рт.ст.;
- минимальное давление в рабочей камере не более 10 -2 мм.рт.ст.;
- мощность СВЧ излучения (600 — 5000) Вт;
- частота СВЧ излучения 2,45 ГГц;
- одновременная подача до 4-х газов;
- расход газовой смеси от 0,36 до 60 л/ч;
- время установления рабочего режима с момента включения установки не более 120 минут.
